Molekularstrahlepitaxie
Durch band-gap-engineering mittels MBE werden in III-V-Halbleiterheterostrukturen niedrigdimensionale Systeme hoher Güte realisiert. Diese werden mit optischen (z. B. Photolumineszenz) oder elektrischen (Magnetotransport) Methoden charakterisiert. Insbesondere werden Quantenphänomene bei tiefen Temperaturen, wie der integrale und fraktionale Quanten Hall Effekt, studiert.
Des Weiteren dienen die Halbleiterheterostrukturen als Ausgangsmaterialien für weitergehende laterale Strukturierung.