Fokussierte Ionenstrahlimplantation
Da die Grenzen heute gebräuchlicher Lithographieverfahren absehbar sind, haben wir eine maskenlose Strukturierungstechnik mittels eines fokussierten Ionenstrahls implementiert. Diese Technik erlaubt es uns laterale Strukturen mit einem Strahldurchmesser bis hinab zu zehn Nanometer zu erzeugen
Auf diese Weise lassen sich Strukturen herstellen, an denen Quantenphänomene (z. B. quantisierte Leitfähigkeit) studiert werden können, oder die als neuartiges Bauelement (z. B. in-plane-gate Transistor) arbeiten.